MOS管分NMOS和PMOS，我們比較常用的是NMOS。
MOS管的三個腳之間都存在寄生電容，在電路設(shè)計時需要注意。
根據(jù)PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對于地的電壓。但是由于PMOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率，大功率仍然使用NMOS管。
根據(jù)NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓大于參數(shù)手冊中給定的Vgs就可以，漏極D接電源，源極S接地。需要注意Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動時候，當(dāng)D與S導(dǎo)通時，D與S電勢相等，那么G必須高于S和D電壓，D與S才能繼續(xù)導(dǎo)通。
導(dǎo)通條件：Vgs＞Vth，R1、R2是為了給G、S之間創(chuàng)造一個Vgs電壓，不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系（只要沒有達(dá)到擊穿電壓）。另外S極不一定需要接地，只需要滿足Vg與Vs之間的一個電勢差大于Vth，MOS管依然能夠起到一個開關(guān)作用。
注意事項：
1、注意IO口的最大驅(qū)動峰值電流，不同芯片的IO口驅(qū)動能力不一樣。
2、如果MOS管寄生電容值較大，導(dǎo)通需要的能量越大，如果IO口的輸出電流峰值較小，管子導(dǎo)通就相對較慢。
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