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【物聯(lián)科普】詳解二極管伏安特性




詳解晶體二極管伏安特性

二極管的伏安特性是指二極管在不同電壓下的電流-電壓關系。

1、正向特性

當二極管正向偏置(即陽極接正電壓,陰極接負電壓)時,隨著電壓的增加,電流也會增加。正向特性的主要特點:在正向電壓超過死區(qū)電壓后,電流迅速增加。

死區(qū)電壓(Vth):在正向電壓較小時,二極管的電流非常小,幾乎為零。這個電壓稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。硅二極管典型的死區(qū)電壓約為0.6~0.7V;鍺二極管約為0.2~0.3V。

正向導通:當正向電壓超過死區(qū)電壓后,二極管開始導通,電流迅速增加。此時,二極管的電壓降保持在一個相對穩(wěn)定的值(硅二極管約為0.7V,鍺二極管約為0.3V)。

2、反向特性

當二極管反向偏置(即陽極接負電壓,陰極接正電壓)時,二極管處于截止狀態(tài),只有很小的反向飽和電流。反向特性的主要特點:反向電壓較小時,電流幾乎為常數(shù)(反向飽和電流)。當反向電壓超過擊穿電壓時,電流急劇增加。

反向飽和電流(Is):在反向電壓較小時,二極管的反向電流非常小,幾乎為常數(shù)。反向飽和電流的大小通常在幾皮安到幾微安之間。

擊穿電壓(VBR):當反向電壓超過一定值時,二極管會發(fā)生雪崩擊穿,反向電流急劇增加。擊穿電壓取決于二極管的材料和結構,通常在幾十伏到幾百伏之間。


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