閃存是一種非易失性、可編程、基于芯片的高速存儲技術(shù)，即使斷電也能保留數(shù)據(jù)。閃存有兩種類型：分別是NAND和NOR。
閃存將數(shù)據(jù)存儲在由金屬氧化物半導(dǎo)體是浮柵晶體管（FGT）定義的存儲單元陣列中，該晶體管存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù) 1 或 0。每個晶體管都有兩個柵極，分別是控制柵極和浮動?xùn)艠O。
與DRAM內(nèi)存不同，NAND在斷電后也能夠儲存數(shù)據(jù)。閃存斷電時，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會向存儲單元供電，保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲1到4位數(shù)據(jù)。
常見的NAND閃存類型有SLC、MLC、TLC和3D NAND。垂直堆疊單元的3D NAND擁有更高的性能、密度。
SLC：單級單元，SLC NAND每個單元存儲一位信息。SLC NAND具有相比于同類產(chǎn)品中最高的耐用性，同時SLC NAND 是當(dāng)今市場上價格最貴的閃存。
MLC：多級單元，MLC NAND每個單元存儲兩位信息。與SLC NAND相比，提高了單元存儲數(shù)據(jù)量，從而降低了單元數(shù)據(jù)儲存的成本，但是降低了耐用率。
TLC：三級單元，TLC NAND每個單元存儲三位，從而降低成本和耐用性并增加容量。它的耐用率較低，是最便宜的閃存類型，主要用于消費(fèi)級電子產(chǎn)品。
QLC：四級單元，QLC NAND每個單元存儲四位，從而創(chuàng)建更高密度和大容量的存儲設(shè)備。QLC NAND具有較低的讀取延遲，更適合機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能 (AI)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)讀取操作，但是耐用性更差，價格也會更便宜。
3D NAND：為了提高NAND設(shè)備的容量，3D NAND通過垂直堆疊多層存儲單元來提高容量并降低成本，3D NAND設(shè)備實(shí)現(xiàn)了更高的密度和更低的功耗、更快的讀寫速度以及更高的耐用性。
NOR Flash是第一種面世的閃存。NOR閃存芯片上的單元彼此平行排列，因此讀取效率高，但寫入速度慢，常用于代碼一次編寫、多次讀取的應(yīng)用場景。
市場占比：NAND閃存的使用量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 NOR閃存。
讀取性能：NOR閃存的讀取速度比NAND閃存快。
寫入、擦除性能：與讀取性能相反，NAND芯片的寫入和擦除速度比NOR器件更快。
耐用性：與 NAND存儲器相比，NOR閃存具有更高的耐用性。
存儲密度：NOR存儲器的密度低于同等的 NAND 閃存芯片。
NOR Flash閃存通常用于消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、車載與工業(yè)領(lǐng)域，而NAND用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、平板電腦、儲存卡、固態(tài)硬盤和計算機(jī)中。
盡管NAND閃存是當(dāng)前最流行的閃存類型，但NOR閃存仍有自己的技術(shù)優(yōu)勢。目前SK海力士宣布通過321層4D NAND樣品發(fā)布，預(yù)計2025年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，隨著閃存技術(shù)的不斷發(fā)展，我們在未來能夠使用上性能更好，價格更實(shí)惠的閃存產(chǎn)品。
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