光刻機將成為歷史！
前不久麻省理工華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有3個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破1nm！
目前的半導體芯片都是在晶圓上通過光刻/蝕刻等工藝加工出來的三維立體結(jié)構，所以堆疊多層晶體管以實現(xiàn)更密集的集成是非常困難的。先進制程工藝的發(fā)展也在1~3nm這里停頓了很長一段時間。
但是由超薄2D材料制成的半導體晶體管，單個只有3個原子的厚度，可以大量堆疊起來制造更強大的芯片，配合一種不會損壞芯片的低溫生成工藝，可直接將2D半導體晶體管集成在標準硅電路之上。
該技術不需要光刻機就可以使芯片輕松突破1nm工藝，且能減少芯片生成時間，降低生產(chǎn)成本。若光刻機技術長時間無法突破1nm工藝，那么光刻機或許就會成為歷史。
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