閃存演進之路
閃存的興起與發(fā)展歷經(jīng)50余年，1967年被稱為“半導體元年”。貝爾實驗室的江大原和施敏博士共同發(fā)明了——浮柵MOSFET，所有閃存、EEPROM、EPROM的基礎。1970-1984年，第一款EPROM、EEPROM誕生。閃存之父FujioMasuoka博士稱芯片內(nèi)容可在相機閃光（flash）的瞬間被擦除，閃存由此得名。
Intel是世界上第一個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司，1988年Intel推出了一款256Kbit閃存芯片。此后Intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存，第二種閃存稱為NAND閃存NOR閃存的替代者，由日立公司于1989年研制，更小的儲存空間更好的性能。
2012年三星創(chuàng)造3DNAND推出第一代3DNAND閃存芯片，半導體進入立體堆疊時代。
2020年英偉達收購ARM，有業(yè)內(nèi)分析師認為全球半導體格局可能就此改變，如今閃存的故事還在繼續(xù)。
